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PLD 300
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产品亮点 Highlights
● 应用:金属，磁性薄膜，半导体异质结
● 样品尺寸: 标准旗形样品托
● 本底真空：< 5×10-10 mbar
● 生长源部件：3个CF40（强磁场下生长铁磁材料），2个CF40（生长常规金属），1个CF40（射频等离子源）
● 磁场强度：± 9 T，均匀性< 0.1%
● 工作温度：室温-1200 K
技术规格 Mechanical Specifications
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生长室 |
生长室极限真空：<5×10-10 mbar |
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超高真空抽气系统：300L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀等；可选配离子泵、TSP等，以实现更好的本底真空 |
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真空测量：离子规及Pirani真空规，覆盖2×10-11 mbar至大气压的测量范围，并与真空控制系统关联集成，实现系统的安全保护 |
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2轴样品架：匹配标准flag-type样品托，工作温度：室温-1200K；温度模块：低温模块、电子束加热模块或Direct Heating模块 |
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蒸发源安装口：6个CF40，可根据用户实际需求进行低、中、高蒸发源的配置 |
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磁场强度：±9T，均匀性<0.1% |
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可选配离子源（Ion Source） |
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快速进样室 |
本底真空：<5×10-8 mbar |
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超高真空抽气系统：80L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀、放气阀等 |
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真空测量：全量程真空规，覆盖5×10-9 mbar至大气压的测量范围，并与真空控制系统关联集成，实现系统的安全保护 |
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样品停放台：6个停放位（可升级至12个停放位） |
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样品传递装置：600mm行程传样杆，包含样品托抓取头及法兰调节器 |
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VAT
CF63闸板阀，用于生长室与快速进样室的隔断 |
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系统集成及控制 |
真空控制及保护系统，集成真空规信号、分子泵控制、蒸发源保护、烘烤保护等功能 |
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包含蒸发源、样品架的温度控制软件 |
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热风式烘烤模块，烘烤温度均匀，拆装方便 |
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| MBE-300 配套蒸发源 | ||
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视频 Video
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