双温区裂解源 您当前的位置: 首页 > 产品中心 > 薄膜制备 > 部件产品 > 蒸发源 > 双温区裂解源

产品概述 Product Overview

双温区裂解源是针对一些蒸气压高的材料,如Se, Te, As, Mg, Sb, CdTe和ZnTe等设计的裂解源,目的是在材料蒸发过程中使原子簇团获得额外的热量进行裂解。双温区蒸发源有两个独立的加热丝,底部蒸发区温度可达1000 ℃,顶部裂解区可达1400 ℃。
坩埚材质为PBN,容积50cc。在50cc坩埚内会放置一个由Ta、PBN或PG材料制作的内衬坩埚。内衬坩埚底部中心有一个很小的孔,通过改变孔的尺寸,可以控制束流分布和密度。


规格说明 Specification

● 型号:E38DZ

● 加热系统: 辐射加热,带有PBN支撑片的Ta加热丝
● 温度稳定性 ≤0.1% (取决于PID控制器)
● 可选线性移动阀
● 挡板:可选Ta挡片(手动/气动)
● 超高真空兼容,极限真空10-11 mbar

法兰尺寸 坩埚尺寸 分区 工作温度 最大除气温度 热电偶 温度稳定性
NW38CF(O.D. 2.75”)
50 cc
顶部裂解区 300~1400℃ 1500℃ C ±0.1%
底部蒸发区 100~1000℃ 1100℃ K






测试曲线图 Test Curve

——————  碲束流温度曲线    —————— ——————    碲薄膜沉积曲线    ——————



产品尺寸 Dimension Drawing



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