费勉前沿|MBE不同氧前驱体对外延β-Ga₂O₃薄膜的影响
β-Ga2O3作为超宽带隙(UWBG)半导体材料中极具代表性的材料,具有大面积单晶片的可用性、对可见光的高透明度以及出色的稳定性,是制备日盲探测器的天然本征吸收材料。然而,β-Ga2O3分子束外延生长机制仍不明确,特别是氧前驱体对β-Ga2O3生长机制的影响尚未披露,这对氧化物外延层的薄膜质量和光电器件的性能很重要。为了揭示氧前驱体对β-Ga2O3生长机制的影响,研究者使用臭氧和氧等离子体前驱体对生长的外延层的性质进行了表征,并从器件的光电特性对比两种氧前驱体在制备β-Ga2O3的差异。
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