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PLD 300
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产品亮点 Highlights
● 生长腔为柱状结构，材质为SS316不锈钢
● 模块化设计，既满足现有材料制备的需求，也提供未来扩展可能性
● 配置及性能指标满足高精度薄膜材料（衬底尺寸最大可达2-inch）制备的需求
● 针对氧化物薄膜生长进行设计、配置优化
● 应用范围广，如：超导薄膜，拓扑绝缘体，氧化物，过渡金属硫族化合物（TMDCs），异质结构，等等
技术规格 Mechanical Specifications
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生长室 |
生长腔内径：300mm |
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生长腔极限真空：<5×10-10 mbar |
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超高真空抽气系统：600L/s以上抽速分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀等；可选配离子泵、TSP等，以实现更好的本底真空 |
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真空测量：离子规及Pirani真空规，覆盖2×10-11 mbar至大气压的测量范围，并与真空控制系统关联集成，实现系统的安全保护 |
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4轴样品架（垂直方向安装）：兼容臭氧，匹配标准flag-type样品托（衬底尺寸最大可达2-inch)，工作温度：室温-1200K；可选配低温模块（液氮制冷），电子束加热模块，或者Direct Heating模块 |
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包含膜厚测量仪（QCM）及配套的线性驱动，实现晶振探头的移动操作 |
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蒸发源安装口：8个；可根据用户实际需求进行低、中、高、电子束蒸发源的配置; 包含特殊设计的差分抽气模块，无需破坏主腔真空，实现蒸发源的填料和替换，以及薄膜生长时的臭氧差分抽气，提高蒸发源抗氧化能力 |
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包含蒸发源挡板（集成水冷模块），可实现薄膜样品的自动生长 |
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包含高纯臭氧提纯及注入系统（Ozone） |
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可选配高精度掩膜板（Mask） |
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| 可选配离子源（Ion Source） | |
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可选配等离子源（Plasma Source） |
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可选配高能电子衍射仪（RHEED） |
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可选配液氮冷井 |
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快速进样室 |
本底真空：<5×10-8 mbar |
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超高真空抽气系统：80L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀、放气阀等 |
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真空测量：全量程真空规，覆盖5×10-9 mbar至大气压的测量范围，并与真空控制系统关联集成，实现系统的安全保护 |
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样品停放台：6个停放位（可升级至12个停放位） |
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样品传递装置：600mm行程传样杆，包含样品托抓取头及法兰调节器 |
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VAT CF63闸板阀，用于生长室与快速进样室的隔断 |
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包含真空内烘烤模块 |
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系统集成及控制 |
真空控制及保护系统，集成真空规信号、分子泵控制、蒸发源保护、烘烤保护等功能 |
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包含蒸发源、样品架的温度控制软件 |
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包含挡板控制软件 |
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热风式烘烤模块，烘烤温度均匀，拆装方便 |
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| MBE-350 配套蒸发源 | ||
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