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产品亮点 Highlights

● 生长腔为一体加工的不锈钢(SS316)腔体工艺,无焊缝结构

● 模块化设计,既满足现有材料制备的需求,也提供未来扩展可能性

● 结构紧凑,占地面积小

● 配置及性能指标满足高精度薄膜材料制备的需求

● 应用范围广,如:超导薄膜,拓扑绝缘体,过渡金属硫族化合物(TMDCs),异质结构,有机物等等


技术规格 Mechanical Specifications


生长室
  生长室极限真空:<5×10-10 mbar
  超高真空抽气系统:300L/s分子泵(Edwards或Pfeiffer品牌),包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀等
  真空测量:离子规及Pirani真空规,覆盖2×10-11 mbar至大气压的测量范围,并与真空控制系统关联集成,实现系统的安全保护
  4轴样品架:匹配标准flag-type样品托,工作温度:室温-1200K
  包含膜厚测量仪(QCM)及配套的线性驱动,实现晶振探头的移动操作
  蒸发源安装口:7个;可根据用户实际需求进行低、中、高、电子束蒸发源的配置
  可选配离子源(Ion Source)
快速进样室
  本底真空:<5×10-8 mbar
  超高真空抽气系统:80L/s分子泵(Edwards或Pfeiffer品牌),包含前级机械泵及配套真空管路、安全阀、放气阀等
  真空测量:全量程真空规,覆盖5×10-9 mbar至大气压的测量范围,并与真空控制系统关联集成,实现系统的安全保护
  样品停放台:6个停放位(可升级至12个停放位)
  样品传递装置:600mm行程传样杆,包含样品托抓取头及法兰调节器
  VAT CF63闸板阀,用于生长室与快速进样室的隔断
系统集成及控制
  真空控制及保护系统,集成真空规信号、分子泵控制、蒸发源保护、烘烤保护等功能
  包含蒸发源、样品架的温度控制软件
  热风式烘烤模块,烘烤温度均匀,拆装方便




Cubic-200 配套蒸发源


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标签: MBE系统